NDS8858H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8858H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 629+ | 44.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS8858H ONSEMI
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NDS8858H за ціною від 57.68 грн до 69.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS8858H | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOICPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 11833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NDS8858H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NDS8858H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NDS8858H | Виробник : FAI |
|
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : FAI |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : FAI |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : FSC |
|
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : NS |
|
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NDS8858H | Виробник : NS |
09+ SOP8 |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
NDS8858H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
NDS8858H | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET CMOSFET Half Bridge |
товару немає в наявності |



