Продукція > FAI > NDS8926

NDS8926 FAI

Виробник: FAI
07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NDS8926 FAI

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NDS8926

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NDS8926	Виробник : FAI	SO-8	на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NDS8926	Виробник : FAIRCHILD	SO-8	на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NDS8926	Виробник : NS	09+ SOP8	на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NDS8926	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NDS8926	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.