Технічний опис NDS9925A FAI
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NDS9925A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NDS9925A | Виробник : FAI |
 SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS9925A | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS9925A | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDS9925A | Виробник : NS |
09+ SOP8 |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NDS9925A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |