Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > NDS9953A
NDS9953A

NDS9953A Fairchild Semiconductor

FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 257016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS9953A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NDS9953A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS9953A Виробник : FAIRCHILD NDS9953A.pdf FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A NDS9953A Виробник : onsemi NDS9953A.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A NDS9953A Виробник : onsemi NDS9953A.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A NDS9953A Виробник : onsemi / Fairchild nds9953a-1194102.pdf MOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.