NDS9953A

NDS9953A Fairchild Semiconductor


FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 257016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS9953A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NDS9953A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDS9953A Виробник : Fairchild NDS9953A.pdf FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A Виробник : FAIRCHILD NDS9953A.pdf FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A Виробник : FAIRCHILD NDS9953A.pdf FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A Виробник : NS NDS9953A.pdf FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ SOP8
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A Виробник : NS NDS9953A.pdf FAIRS27055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 95 SMD
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A NDS9953A Виробник : onsemi NDS9953A.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A NDS9953A Виробник : onsemi NDS9953A.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A NDS9953A Виробник : onsemi / Fairchild nds9953a-1194102.pdf MOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.