Продукція > ONSEMI > NDSH20120C-F155
NDSH20120C-F155

NDSH20120C-F155 onsemi


ndsh20120c-f155-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.94 грн
10+549.67 грн
25+524.10 грн
100+427.08 грн
450+371.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDSH20120C-F155 onsemi

Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 100nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NDSH20120C-F155 за ціною від 308.38 грн до 686.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDSH20120C-F155 NDSH20120C-F155 Виробник : ONSEMI 4164781.pdf Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+683.34 грн
5+526.09 грн
10+368.84 грн
50+341.73 грн
100+314.73 грн
250+308.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155 NDSH20120C-F155 Виробник : onsemi NDSH20120C_F155_D-3392660.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.69 грн
10+578.98 грн
100+419.80 грн
250+402.92 грн
450+370.62 грн
900+333.19 грн
2700+318.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.