NDSH20120C-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 623.92 грн |
| 10+ | 542.69 грн |
| 25+ | 517.45 грн |
| 100+ | 421.66 грн |
| 450+ | 367.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDSH20120C-F155 onsemi
Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 100nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDSH20120C-F155 за ціною від 369.96 грн до 725.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDSH20120C-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 100nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NDSH20120C-F155 | onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDSH20120C-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 725.87 грн |
| 5+ | 612.07 грн |
| 10+ | 497.46 грн |
| 50+ | 435.51 грн |
| 100+ | 377.62 грн |
| 250+ | 369.96 грн |
| NDSH20120C-F155 |
|
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)