Продукція > ONSEMI > NDSH20120C-F155
NDSH20120C-F155

NDSH20120C-F155 onsemi


ndsh20120c-f155-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.37 грн
10+543.09 грн
25+517.83 грн
100+421.97 грн
450+367.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDSH20120C-F155 onsemi

Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 100nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NDSH20120C-F155 за ціною від 302.60 грн до 726.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDSH20120C-F155 NDSH20120C-F155 Виробник : onsemi NDSH20120C_F155_D-3392660.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+652.38 грн
10+550.05 грн
100+398.82 грн
250+382.78 грн
450+352.10 грн
900+316.54 грн
2700+302.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155 NDSH20120C-F155 Виробник : ONSEMI ndsh20120c-f155-d.pdf Description: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+726.40 грн
5+612.52 грн
10+497.83 грн
50+435.83 грн
100+377.90 грн
250+370.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.