Продукція > ONSEMI > NDSH30120C-F155
NDSH30120C-F155

NDSH30120C-F155 onsemi

ndsh30120c-f155-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 38A
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+822.67 грн
10+715.58 грн
25+682.30 грн
100+555.99 грн
450+484.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDSH30120C-F155 onsemi

Description: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 132nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NDSH30120C-F155

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDSH30120C-F155 NDSH30120C-F155 onsemi NDSH30120C_F155_D-3392667.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155 NDSH30120C-F155 ONSEMI 4164783.pdf Description: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155 NDSH30120C_F155_D-3392667.pdf
NDSH30120C-F155
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155 4164783.pdf
NDSH30120C-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.