NDSH40120CDN ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 52A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 52A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1027.07 грн |
| 5+ | 812.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDSH40120CDN ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC, tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 95nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDSH40120CDN за ціною від 564.05 грн до 1093.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDSH40120CDN | onsemi |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 50198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NDSH40120CDN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 95nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
NDSH40120CDN | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDSH40120CDN |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 50198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1093.79 грн |
| 10+ | 745.74 грн |
| 450+ | 564.05 грн |
| NDSH40120CDN |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 95nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 95nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDSH40120CDN |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)