
NDSH50120C-F155 onsemi

Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2033.00 грн |
10+ | 1417.37 грн |
25+ | 1276.57 грн |
100+ | 1148.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDSH50120C-F155 onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 53A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції NDSH50120C-F155 за ціною від 1292.22 грн до 2237.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDSH50120C-F155 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NDSH50120C-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |