NDSH50120C-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 53A
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1975.90 грн |
| 10+ | 1377.56 грн |
| 25+ | 1240.72 грн |
| 100+ | 1116.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDSH50120C-F155 onsemi
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 53A, Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NDSH50120C-F155
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NDSH50120C-F155 | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDSH50120C-F155 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)