NDSH50120C onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 53A
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1083.01 грн |
| 30+ | 841.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDSH50120C onsemi
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 246nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NDSH50120C за ціною від 1246.08 грн до 1824.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDSH50120C | ONSEMI |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.75V Load current: 53A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NDSH50120C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 246nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
NDSH50120C | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDSH50120C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1824.42 грн |
| 3+ | 1526.09 грн |
| 10+ | 1344.08 грн |
| 30+ | 1246.08 грн |
| NDSH50120C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDSH50120C |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




