Продукція > ONSEMI > NDT014L
NDT014L

NDT014L onsemi

ndt014l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.71 грн
8000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT014L onsemi

Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85331000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції NDT014L за ціною від 10.48 грн до 103.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT014L NDT014L ON Semiconductor ndt014ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L ON Semiconductor ndt014ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L ON Semiconductor ndt014ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+53.45 грн
1000+49.29 грн
10000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L ONSEMI ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.49 грн
250+54.65 грн
1000+35.22 грн
2000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L ONSEMI ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.65 грн
50+74.49 грн
250+54.65 грн
1000+35.22 грн
2000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L onsemi ndt014l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+63.43 грн
100+43.79 грн
500+32.27 грн
1000+29.44 грн
2000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L onsemi ndt014l-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 22385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L Fairchild ndt014l-d.pdf N-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
кількість в упаковці: 313 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
313+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ndt014ld.pdf
NDT014L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ndt014ld.pdf
NDT014L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ndt014ld.pdf
NDT014L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
662+53.45 грн
1000+49.29 грн
10000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDT014L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+74.49 грн
250+54.65 грн
1000+35.22 грн
2000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDT014L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+99.65 грн
50+74.49 грн
250+54.65 грн
1000+35.22 грн
2000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ndt014l-d.pdf
NDT014L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+63.43 грн
100+43.79 грн
500+32.27 грн
1000+29.44 грн
2000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ndt014l-d.pdf
NDT014L
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 22385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L ndt014l-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
кількість в упаковці: 313 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.