Продукція > ONSEMI > NDT014L
NDT014L

NDT014L onsemi

ndt014l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.46 грн
8000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT014L onsemi

Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85331000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NDT014L за ціною від 10.21 грн до 108.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDT014L NDT014L Виробник : ON Semiconductor ndt014l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.78 грн
250+45.23 грн
1000+28.74 грн
2000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.56 грн
50+64.78 грн
250+45.23 грн
1000+28.74 грн
2000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L Виробник : onsemi ndt014l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+65.14 грн
100+44.97 грн
500+33.15 грн
1000+30.23 грн
2000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L NDT014L Виробник : onsemi / Fairchild NDT014L_D-2317526.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 43016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+69.04 грн
100+43.11 грн
500+34.50 грн
1000+30.53 грн
2000+28.47 грн
4000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L Виробник : Fairchild ndt014l-d.pdf N-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
кількість в упаковці: 313 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L Виробник : ONSEMI ndt014l-d.pdf NDT014L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.