Продукція > ONSEMI > NDT3055
NDT3055

NDT3055 onsemi

ndt3055-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT3055 onsemi

Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції NDT3055 за ціною від 26.66 грн до 135.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.53 грн
24000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.88 грн
24000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.02 грн
4000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+50.87 грн
1000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ONSEMI ndt3055-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.21 грн
10+67.26 грн
50+48.61 грн
100+42.67 грн
250+36.23 грн
500+32.35 грн
1000+29.21 грн
2000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.64 грн
11+71.84 грн
100+53.44 грн
500+43.88 грн
1000+33.15 грн
2000+30.65 грн
4000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+112.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.55 грн
10+72.49 грн
50+54.35 грн
100+45.49 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 11104 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+135.66 грн
10+83.93 грн
100+48.05 грн
500+38.10 грн
1000+33.86 грн
2000+30.94 грн
4000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.53 грн
24000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+33.88 грн
24000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+40.02 грн
4000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+50.87 грн
1000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
NDT3055
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.21 грн
10+67.26 грн
50+48.61 грн
100+42.67 грн
250+36.23 грн
500+32.35 грн
1000+29.21 грн
2000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.64 грн
11+71.84 грн
100+53.44 грн
500+43.88 грн
1000+33.15 грн
2000+30.65 грн
4000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055d.pdf
NDT3055
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+112.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
NDT3055
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.55 грн
10+72.49 грн
50+54.35 грн
100+45.49 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
NDT3055
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 11104 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.66 грн
10+83.93 грн
100+48.05 грн
500+38.10 грн
1000+33.86 грн
2000+30.94 грн
4000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 2285683.pdf
NDT3055
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 2285683.pdf
NDT3055
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.