NDT3055

NDT3055 onsemi


ndt3055-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.87 грн
8000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT3055 onsemi

Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NDT3055 за ціною від 24.83 грн до 94.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDT3055 NDT3055 Виробник : ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.40 грн
250+45.20 грн
1000+29.32 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 Виробник : onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 9865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.16 грн
10+57.22 грн
100+39.79 грн
500+31.42 грн
1000+28.37 грн
2000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 Виробник : onsemi / Fairchild ndt3055-d.pdf MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 16013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.32 грн
10+61.44 грн
100+38.03 грн
500+33.50 грн
1000+26.26 грн
2000+26.18 грн
4000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 Виробник : ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.81 грн
50+63.40 грн
250+45.20 грн
1000+29.32 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 Виробник : Fairchild ndt3055-d.pdf
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 Виробник : FAIRCHILD ndt3055-d.pdf 07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 Виробник : FAIRCHILD ndt3055-d.pdf SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 Виробник : ON Semiconductor 3673151483219909ndt3055.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 Виробник : ONSEMI ndt3055-d.pdf NDT3055 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.