NDT3055 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT3055 onsemi
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDT3055 за ціною від 24.06 грн до 103.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25A |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V |
на замовлення 6721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE |
на замовлення 12331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDT3055 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SOT-223 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NDT3055 | Виробник : FAIRCHILD |
SOT-223 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NDT3055 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 107500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |



