Продукція > ONSEMI > NDT3055
NDT3055

NDT3055 onsemi

ndt3055-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.42 грн
8000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT3055 onsemi

Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції NDT3055 за ціною від 26.45 грн до 110.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.90 грн
250+52.23 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
50+65.90 грн
250+52.23 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 ONSEMI ndt3055-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
10+61.02 грн
50+44.61 грн
100+38.97 грн
250+32.67 грн
500+28.77 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 11878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.04 грн
10+67.08 грн
100+44.68 грн
500+32.93 грн
1000+30.03 грн
2000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 7162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 Fairchild ndt3055-d.pdf
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 2285683.pdf
NDT3055
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+65.90 грн
250+52.23 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 2285683.pdf
NDT3055
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+89.20 грн
50+65.90 грн
250+52.23 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
NDT3055
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.65 грн
10+61.02 грн
50+44.61 грн
100+38.97 грн
250+32.67 грн
500+28.77 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
NDT3055
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 11878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.04 грн
10+67.08 грн
100+44.68 грн
500+32.93 грн
1000+30.03 грн
2000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
NDT3055
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 7162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055 ndt3055-d.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.