Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDT3055L
NDT3055L

NDT3055L ON Semiconductor

ndt3055l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+48.42 грн
8000+ 44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT3055L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDT3055L за ціною від 26.37 грн до 90.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.42 грн
500+ 40.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI NDT3055L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.66 грн
25+ 32.31 грн
69+ 30.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI NDT3055L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.8 грн
25+ 40.27 грн
69+ 36.62 грн
4000+ 35.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
NDT3055L NDT3055L Виробник : onsemi ndt3055l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.82 грн
10+ 52.86 грн
100+ 41.11 грн
500+ 32.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
NDT3055L NDT3055L Виробник : onsemi / Fairchild NDT3055L_D-2317585.pdf MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
на замовлення 18868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.77 грн
10+ 57.83 грн
100+ 39.19 грн
500+ 33.74 грн
1000+ 28.03 грн
2000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NDT3055L NDT3055L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013303232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.91 грн
11+ 71.54 грн
100+ 51.42 грн
500+ 40.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NDT3055L NDT3055L Виробник : ON Semiconductor ndt3055l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NDT3055L NDT3055L Виробник : onsemi ndt3055l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товар відсутній