NDT3055L MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.74 грн |
| 500+ | 16.75 грн |
| 1000+ | 11.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT3055L MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDT3055L за ціною від 11.03 грн до 120.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDT3055L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 55500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT3055L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDT3055L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SOT-223 N-CH LOGIC |
на замовлення 22337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 55966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDT3055L | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 4A 60V 0.1Ω NDT3055L smd TNDT3055l |
на замовлення 166 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NDT3055L | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
Транзистор MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |