NDT451AN onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 31.05 грн |
| 8000+ | 29.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT451AN onsemi
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.
Інші пропозиції NDT451AN за ціною від 30.25 грн до 109.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDT451AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT451AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT451AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT451AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT451AN | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT451AN | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
на замовлення 40194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NDT451AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 5381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NDT451AN | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 39.17 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 43.07 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 43.51 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 85.09 грн |
| 168+ | 84.25 грн |
| 218+ | 64.82 грн |
| 250+ | 62.07 грн |
| 500+ | 48.21 грн |
| 1000+ | 41.53 грн |
| 3000+ | 36.77 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 104.32 грн |
| 10+ | 85.09 грн |
| 25+ | 84.25 грн |
| 100+ | 62.51 грн |
| 250+ | 57.47 грн |
| 500+ | 46.28 грн |
| 1000+ | 41.53 грн |
| 3000+ | 36.77 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 40194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.02 грн |
| 10+ | 68.94 грн |
| 100+ | 47.64 грн |
| 500+ | 35.95 грн |
| 1000+ | 32.86 грн |
| 2000+ | 30.25 грн |
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT451AN |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





