Продукція > ONSEMI > NDT451AN
NDT451AN

NDT451AN onsemi

ndt451an-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+31.84 грн
8000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT451AN onsemi

Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NDT451AN за ціною від 31.02 грн до 137.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NDT451AN NDT451AN onsemi / Fairchild ndt451an-d.pdf MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.61 грн
10+70.92 грн
25+61.53 грн
100+44.54 грн
250+44.47 грн
500+33.13 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT451AN NDT451AN onsemi ndt451an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 40194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+70.71 грн
100+48.85 грн
500+36.87 грн
1000+33.69 грн
2000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT451AN NDT451AN ONSEMI ONSM-S-A0013303225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.32 грн
10+87.16 грн
100+58.47 грн
500+41.31 грн
1000+34.96 грн
5000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT451AN ndt451an-d.pdf
NDT451AN
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.61 грн
10+70.92 грн
25+61.53 грн
100+44.54 грн
250+44.47 грн
500+33.13 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT451AN ndt451an-d.pdf
NDT451AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 40194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.80 грн
10+70.71 грн
100+48.85 грн
500+36.87 грн
1000+33.69 грн
2000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT451AN ONSM-S-A0013303225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDT451AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+137.32 грн
10+87.16 грн
100+58.47 грн
500+41.31 грн
1000+34.96 грн
5000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.