NDT456P MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.32 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 9.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT456P MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NDT456P за ціною від 9.41 грн до 176.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDT456P | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 38640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
на замовлення 13346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE |
на замовлення 10022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NDT456P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT456P - MOSFET, P-KANAL, LOGIK, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 38640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NDT456P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; 7.5/-7.5A; 3W; SOT223-4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: 7.5/-7.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |