NDT456P ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 55.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT456P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NDT456P за ціною від 52.05 грн до 157.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDT456P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
на замовлення 50758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
на замовлення 6414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NDT456P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE |
на замовлення 11992 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.026 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
на замовлення 50758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NDT456P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT456P - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NDT456P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |