Продукція > ONSEMI > NDT456P
NDT456P

NDT456P onsemi

ndt456p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+36.41 грн
8000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDT456P onsemi

Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції NDT456P за ціною від 15.86 грн до 178.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NDT456P NDT456P UMW 8122a39a4c56a9453551bc43ea6351d9.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.35 грн
10+37.73 грн
100+24.48 грн
500+17.60 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ON Semiconductor ndt456p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.41 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ON Semiconductor ndt456p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.41 грн
500+74.17 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ON Semiconductor ndt456p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.39 грн
184+76.91 грн
500+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P onsemi ndt456p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.68 грн
10+89.02 грн
100+60.05 грн
500+44.73 грн
1000+40.99 грн
2000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ON Semiconductor ndt456p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.76 грн
120+117.60 грн
137+103.49 грн
500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ON Semiconductor ndt456p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.43 грн
10+105.82 грн
100+76.50 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P onsemi ndt456p-d.pdf 8122a39a4c56a9453551bc43ea6351d9.pdf MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 10022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ONSEMI 3998121.pdf Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 35955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P MULTICOMP PRO 4419353.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P ONSEMI 3998121.pdf Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 35955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P NDT456P MULTICOMP PRO 4419353.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P 8122a39a4c56a9453551bc43ea6351d9.pdf
NDT456P
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.35 грн
10+37.73 грн
100+24.48 грн
500+17.60 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf
NDT456P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+82.41 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf
NDT456P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+82.41 грн
500+74.17 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf
NDT456P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+106.39 грн
184+76.91 грн
500+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf
NDT456P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.68 грн
10+89.02 грн
100+60.05 грн
500+44.73 грн
1000+40.99 грн
2000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf
NDT456P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.76 грн
120+117.60 грн
137+103.49 грн
500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf
NDT456P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.43 грн
10+105.82 грн
100+76.50 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P ndt456p-d.pdf 8122a39a4c56a9453551bc43ea6351d9.pdf
NDT456P
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 10022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P 3998121.pdf
NDT456P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 35955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P 4419353.pdf
NDT456P
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P 3998121.pdf
NDT456P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 35955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT456P 4419353.pdf
NDT456P
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.