Технічний опис NDUL09N150CG onsemi
Description: MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NDUL09N150CG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NDUL09N150CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2636 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NDUL09N150CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NDUL09N150CG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |