NE3210S01-T1B м/с
Код товару: 89265
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
8542 39 90 00
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NE3210S01-T1B м/с
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3210S01-T1B | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMD Noise Figure: 0.35dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 13.5dB Frequency: 12GHz Current Rating (Amps): 15mA Package / Case: 4-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
NE3210S01-T1B | CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NE3210S01-T1B | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NE3210S01-T1B |
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMD
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMD
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE3210S01-T1B |
|
Виробник: CEL
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE3210S01-T1B |
Виробник: Renesas Electronics
Renesas Electronics
Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.