Продукція > NE3210S01-T1B мікросхема
NE3210S01-T1B мікросхема
Код товару: 89265
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
8542 39 90 00
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NE3210S01-T1B мікросхема
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3210S01-T1B | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.35dB Supplier Device Package: SMD Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
NE3210S01-T1B | CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NE3210S01-T1B | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NE3210S01-T1B |
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE3210S01-T1B |
|
Виробник: CEL
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE3210S01-T1B |
Виробник: Renesas Electronics
Renesas Electronics
Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.