Продукція > CEL > NE3503M04-A
NE3503M04-A

NE3503M04-A CEL

RF-Wireless-Brochure.pdf
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE3503M04-A CEL

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: M04, Noise Figure: 0.45dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 12dB, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 70mA, Package / Case: SOT-343F, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції NE3503M04-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NE3503M04-A NE3503M04-A CEL ne3503m04-26659.pdf RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-A Renesas Electronics RF-Wireless-Brochure.pdf Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-A ne3503m04-26659.pdf
NE3503M04-A
Виробник: CEL
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3503M04-A RF-Wireless-Brochure.pdf
Виробник: Renesas Electronics
Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.