NE3503M04-A CEL
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3503M04-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: M04, Noise Figure: 0.45dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 12dB, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 70mA, Package / Case: SOT-343F, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції NE3503M04-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3503M04-A | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET |
товару немає в наявності |
|
| NE3503M04-A | Виробник : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |