NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 29804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 365+ | 60.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3503M04-T2-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3503M04-T2-A |
|
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
NE3503M04-T2-A Код товару: 191033
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
|
|
NE3503M04-T2-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 12GHz Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |
|
| NE3503M04-T2-A | Виробник : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |
||
 |
NE3503M04-T2-A | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
товару немає в наявності |