NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3503M04-T2B-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3503M04-T2B-A |
|
на замовлення 17990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |

