Продукція > RENESAS > NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A Renesas

Виробник: Renesas
Trans FET N-CH 4V 120mA 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис NE3508M04-T2-A Renesas

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 120mA, Frequency: 2GHz, Power - Output: 18dBm, Gain: 14dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: F4TSMM, M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції NE3508M04-T2-A

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NE3508M04-T2-A	Виробник : Renesas	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFET кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	NE3508M04-T2-A	Виробник : CEL	Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 120mA Frequency: 2GHz Power - Output: 18dBm Gain: 14dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: F4TSMM, M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.