NE3512S02-A CEL
Виробник: CELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3512S02-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.35dB, Supplier Device Package: S02, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3512S02-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3512S02-A | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch |
товару немає в наявності |
|
| NE3512S02-A | Виробник : Renesas Electronics |
Array |
товару немає в наявності |