NE3512S02-A CEL
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3512S02-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: S02, Noise Figure: 0.35dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 13.5dB, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 70mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції NE3512S02-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3512S02-A | Виробник : CEL |
RF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch |
товару немає в наявності |
|
| NE3512S02-A | Виробник : Renesas Electronics |
Array |
товару немає в наявності |