NE3512S02-T1C-A Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 460+ | 47.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3512S02-T1C-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.35dB, Supplier Device Package: S02, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3512S02-T1C-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3512S02-T1C-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 12GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.35dB Supplier Device Package: S02 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
NE3512S02-T1C-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 12GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.35dB Supplier Device Package: S02 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |