NE3515S02-A
Виробник:
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3515S02-A
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Bulk, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: S02, Noise Figure: 0.3dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 12.5dB, Power - Output: 14dBm, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 88mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads.
Інші пропозиції NE3515S02-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3515S02-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 Packaging: Bulk Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Supplier Device Package: S02 Noise Figure: 0.3dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 12.5dB Power - Output: 14dBm Frequency: 12GHz Current Rating (Amps): 88mA Package / Case: 4-SMD, Flat Leads |
товару немає в наявності |