Технічний опис NE3515S02-A
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 88mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 14dBm, Gain: 12.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.3dB, Supplier Device Package: S02, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA. 
Інші пропозиції NE3515S02-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| 
             | 
        NE3515S02-A | Виробник : CEL | 
            
                         Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 88mA Frequency: 12GHz Power - Output: 14dBm Gain: 12.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.3dB Supplier Device Package: S02 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        
