Продукція > NE3 > NE3515S02-A

NE3515S02-A

NE3515S02.pdf
Виробник:

на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE3515S02-A

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Bulk, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: S02, Noise Figure: 0.3dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 12.5dB, Power - Output: 14dBm, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 88mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads.

Інші пропозиції NE3515S02-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NE3515S02-A NE3515S02-A CEL NE3515S02.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12.5dB
Power - Output: 14dBm
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 88mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE3515S02-A NE3515S02.pdf
NE3515S02-A
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12.5dB
Power - Output: 14dBm
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 88mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.