NE3515S02-T1C-A CEL
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 88mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 14dBm
Gain: 12.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3515S02-T1C-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 88mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 14dBm, Gain: 12.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.3dB, Supplier Device Package: S02, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3515S02-T1C-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3515S02-T1C-A | CEL |
RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NE3515S02-T1C-A |
|
Виробник: CEL
RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.