Продукція > CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES > NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A California Eastern Laboratories

Виробник: California Eastern Laboratories
Trans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис NE3517S03-T1C-A California Eastern Laboratories

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.7dB, Supplier Device Package: S03, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції NE3517S03-T1C-A

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NE3517S03-T1C-A	Виробник : Renesas	Trans JFET N-CH 4V T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	NE3517S03-T1C-A	Виробник : CEL	Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 20GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.7dB Supplier Device Package: S03 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.