NE3520S03-A CEL
Виробник: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S03
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3520S03-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: S03, Noise Figure: 0.65dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 13.5dB, Frequency: 20GHz, Current Rating (Amps): 70mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції NE3520S03-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3520S03-A | California Eastern Laboratories |
Trans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. |
| NE3520S03-A |
|
Виробник: California Eastern Laboratories
Trans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03
Trans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику
од. на суму грн.