Технічний опис NE3520S03-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 20GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.65dB, Supplier Device Package: S03, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3520S03-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3520S03-A | Виробник : California Eastern Laboratories |
 Trans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03 |
товару немає в наявності |
|
 |
NE3520S03-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03 Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 20GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.65dB Supplier Device Package: S03 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товару немає в наявності |