NE3521M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 20GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 11dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.85dB
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 6 mA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1402+ | 16.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3521M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 20GHz, Configuration: N-Channel, Gain: 11dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.85dB, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 6 mA.
Інші пропозиції NE3521M04-T2-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
NE3521M04-T2-A Код товару: 191034
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
| NE3521M04-T2-A | Виробник : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |
||
| NE3521M04-T2-A | Виробник : CEL |
CEL N-Channel GaAs HJ-FET, K-Band Low Noise and High Gain |
товару немає в наявності |