
NE5517DR2G ON Semiconductor
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
170+ | 72.15 грн |
179+ | 68.39 грн |
195+ | 62.77 грн |
250+ | 56.83 грн |
500+ | 51.92 грн |
1000+ | 49.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE5517DR2G ON Semiconductor
Description: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Output Type: Push-Pull, Mounting Type: Surface Mount, Amplifier Type: Transconductance, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C, Current - Supply: 2.6mA, Slew Rate: 50V/µs, Gain Bandwidth Product: 2 MHz, Current - Input Bias: 400 nA, Voltage - Input Offset: 400 µV, Supplier Device Package: 16-SOIC, Part Status: Active, Number of Circuits: 2, Current - Output / Channel: 500 µA, Voltage - Supply Span (Min): 4 V, Voltage - Supply Span (Max): 44 V.
Інші пропозиції NE5517DR2G за ціною від 45.66 грн до 186.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Transconductance Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Current - Supply: 2.6mA Slew Rate: 50V/µs Gain Bandwidth Product: 2 MHz Current - Input Bias: 400 nA Voltage - Input Offset: 400 µV Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 500 µA Voltage - Supply Span (Min): 4 V Voltage - Supply Span (Max): 44 V |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NE5517DR2G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NE5517DR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Transconductance Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Current - Supply: 2.6mA Slew Rate: 50V/µs Gain Bandwidth Product: 2 MHz Current - Input Bias: 400 nA Voltage - Input Offset: 400 µV Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 500 µA Voltage - Supply Span (Min): 4 V Voltage - Supply Span (Max): 44 V |
товару немає в наявності |