Технічний опис NE5532DG4 TI
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в, кількість в упаковці: 975 шт.
Інші пропозиції NE5532DG4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NE5532DG4 | Texas Instruments |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вкількість в упаковці: 975 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 975 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
NE5532DG4 | Texas Instruments |
Description: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 975 шт В кошику од. на суму грн. |
| NE5532DG4 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
кількість в упаковці: 975 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±5...15, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
кількість в упаковці: 975 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5532DG4 |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC
Description: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику
од. на суму грн.



