NE66219-T1-A CEL
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 197.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE66219-T1-A CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 14dB, Power - Max: 115mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 21GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NE66219-T1-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NE66219-T1-A |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |