Технічний опис NE662M04-A
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 115mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-343F, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NE662M04-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NE662M04-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343FPackaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 115mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
NE662M04-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NE662M04-A | Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NE662M04-A |
![]() |
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE662M04-A |
![]() |
Виробник: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE662M04-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics
Renesas Electronics
Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




