Продукція > NE6 > NE662M04-A

NE662M04-A

2SC5508_NE662M04.pdf Виробник:

на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE662M04-A

Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 18dB, Power - Max: 115mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-343F, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції NE662M04-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NE662M04-A NE662M04-A Виробник : CEL 2SC5508_NE662M04.pdf Description: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE662M04-A NE662M04-A Виробник : CEL ne662m04-48472.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE662M04-A Виробник : Renesas Electronics 2SC5508_NE662M04.pdf Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.