NE662M04-T2-A CEL
Виробник: CELDescription: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 158.78 грн |
| 15000+ | 107.03 грн |
| 60000+ | 61.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE662M04-T2-A CEL
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 17dB, Power - Max: 115mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: M04, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції NE662M04-T2-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NE662M04-T2-A |
|
на замовлення 126000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NE662M04-T2-A | Виробник : Renesas |
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
NE662M04-T2-A | Виробник : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товару немає в наявності |