Продукція > CEL > NE68133-T1B-A
NE68133-T1B-A

NE68133-T1B-A CEL

ne681.pdf
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE68133-T1B-A CEL

Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Power - Max: 200mW, Gain: 13dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NE68133-T1B-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NE68133-T1B-A NE68133-T1B-A CEL ne681.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A NE68133-T1B-A CEL ne68133-611269.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A Diodes Incorporated ne681.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A NE68133-T1B-A Renesas Electronics ne681-33141.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A ne681.pdf
NE68133-T1B-A
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A ne68133-611269.pdf
NE68133-T1B-A
Виробник: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A ne681.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68133-T1B-A ne681-33141.pdf
NE68133-T1B-A
Виробник: Renesas Electronics
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.