Продукція > NE68819-T1-A
NE68819-T1-A
Виробник:
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE68819-T1-A
Description: RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3-MINI, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Power - Max: 125mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19), Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NE68819-T1-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE68819-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NE68819-T1-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NE68819-T1-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19)
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE68819-T1-A |
|
Виробник: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.