Продукція > DIODES INCORPORATED > NE68833-T1

NE68833-T1 Diodes Incorporated


Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE68833-T1 Diodes Incorporated

Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R.

Інші пропозиції NE68833-T1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NE68833-T1 NEC/CEL ne699m01-1186688.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68833-T1 NE68833-T1 Renesas Electronics renesas electronics_ne688.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68833-T1 California Eastern Laboratories Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NE68833-T1 ne699m01-1186688.pdf
Виробник: NEC/CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68833-T1 renesas electronics_ne688.pdf
NE68833-T1
Виробник: Renesas Electronics
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE68833-T1
Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.