NE85639-T1-A CEL
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE85639-T1-A CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143, Supplier Device Package: SOT-143, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Gain: 13dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NE85639-T1-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NE85639-T1-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143 Supplier Device Package: SOT-143 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Frequency - Transition: 9GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Gain: 13dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NE85639-T1-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NE85639-T1-A |
|
Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE85639-T1-A |
|
Виробник: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.