Продукція > CEL > NE85639R-T1-A
NE85639R-T1-A

NE85639R-T1-A CEL



Виробник: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Supplier Device Package: SOT-143R
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE85639R-T1-A CEL

Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R, Supplier Device Package: SOT-143R, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Gain: 13.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-143R, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NE85639R-T1-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NE85639R-T1-A NE85639R-T1-A Виробник : CEL Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-143R
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.