Продукція > DIODES INCORPORATED > NE85639R

NE85639R Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE85639R Diodes Incorporated

RF Bipolar Transistors NPN High Frequency.

Інші пропозиції NE85639R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NE85639R Виробник : NEC/CEL ne856-1186586.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.