NE856M02-T1-AZ CEL
Виробник: CEL
Description: SAME AS 2SC5336 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 1.2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Last Time Buy
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE856M02-T1-AZ CEL
Description: SAME AS 2SC5336 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 1.2W, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 6.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SOT-89, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції NE856M02-T1-AZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE856M02-T1-AZ | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NE856M02-T1-AZ |
|
Виробник: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp
RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.