Продукція > NES > NESG2030M04-T2-A

NESG2030M04-T2-A

Виробник:

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NESG2030M04-T2-A

Description: TRANS NPN 2GHZ SOT-343, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 16dB, Power - Max: 80mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 60GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: M04.

Інші пропозиції NESG2030M04-T2-A

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NESG2030M04-T2-A	Виробник : Renesas	Trans RF BJT NPN 2.3V 0.035A 80mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	NESG2030M04-T2-A	Виробник : CEL	Description: TRANS NPN 2GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 16dB Power - Max: 80mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: M04	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.