NGB30T65M3DFPJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 83.76 грн |
| 500+ | 69.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGB30T65M3DFPJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.52V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 199W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 56A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NGB30T65M3DFPJ за ціною від 69.70 грн до 115.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NGB30T65M3DFPJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.52V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 199W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 56A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NGB30T65M3DFPJ |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.52V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 199W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - NGB30T65M3DFPJ - IGBT, 56 A, 1.52 V, 199 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.52V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 199W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 115.17 грн |
| 10+ | 100.67 грн |
| 100+ | 83.76 грн |
| 500+ | 69.70 грн |