Продукція > ONSEMI > NGB8207ABNT4G
NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G onsemi

ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
481+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO.

Інші пропозиції NGB8207ABNT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NGB8207ABNT4G NGB8207ABNT4G IXYS Littelfuse_Power_Semiconductor_Ignition_IGBT_Devic-3311125.pdf IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G Littelfuse_Power_Semiconductor_Ignition_IGBT_Devic-3311125.pdf
NGB8207ABNT4G
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.