на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 481+ | 49.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 365V, Collector current: 20A, Power dissipation: 165W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: logic level, Application: ignition systems, Version: ESD.
Інші пропозиції NGB8207ABNT4G за ціною від 53.67 грн до 81.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
NGB8207ABNT4G | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 365V Collector current: 20A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
товару немає в наявності |