на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 481+ | 47.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level, Collector-emitter voltage: 365V, Gate-emitter voltage: ±15V, Collector current: 20A, Pulsed collector current: 50A, Type of transistor: IGBT, Application: ignition systems, Power dissipation: 165W, Kind of package: reel; tape, Version: ESD, Features of semiconductor devices: logic level, Mounting: SMD, Case: D2PAK, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NGB8207ABNT4G за ціною від 51.70 грн до 51.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level Collector-emitter voltage: 365V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Application: ignition systems Power dissipation: 165W Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
NGB8207ABNT4G | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
товару немає в наявності |
|||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level Collector-emitter voltage: 365V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Application: ignition systems Power dissipation: 165W Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Case: D2PAK |
товару немає в наявності |