на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 481+ | 43.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; ignition systems, Mounting: SMD, Application: ignition systems, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Case: D2PAK, Collector-emitter voltage: 365V, Gate-emitter voltage: ±15V, Collector current: 20A, Pulsed collector current: 50A, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 165W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NGB8207ABNT4G за ціною від 51.38 грн до 51.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; ignition systems Mounting: SMD Application: ignition systems Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 365V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
 |
NGB8207ABNT4G | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
товар відсутній |
|||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; ignition systems Mounting: SMD Application: ignition systems Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 365V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W |
товар відсутній |