Продукція > ONSEMI > NGB8207ABNT4G
NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G onsemi

ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
481+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi

Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NGB8207ABNT4G за ціною від 66.23 грн до 92.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NGB8207ABNT4G ON Semiconductor ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+92.81 грн
500+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ON Semiconductor ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+92.81 грн
500+83.53 грн
1000+77.03 грн
10000+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ON Semiconductor ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+92.81 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ONSEMI ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
379+92.81 грн
500+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
379+92.81 грн
500+83.53 грн
1000+77.03 грн
10000+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
379+92.81 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGB8207ABNT4G ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.