Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi
Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NGB8207ABNT4G за ціною від 51.08 грн до 85.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
NGB8207ABNT4G | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
товару немає в наявності |