на замовлення 30096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 481+ | 49.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGB8207ABNT4G onsemi
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK, Version: ESD, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: logic level, Mounting: SMD, Gate-emitter voltage: ±15V, Collector current: 20A, Pulsed collector current: 50A, Power dissipation: 165W, Collector-emitter voltage: 365V, Application: ignition systems, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NGB8207ABNT4G за ціною від 53.40 грн до 53.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Version: ESD Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Power dissipation: 165W Collector-emitter voltage: 365V Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
NGB8207ABNT4G | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
товару немає в наявності |
|||||
| NGB8207ABNT4G | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Version: ESD Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Power dissipation: 165W Collector-emitter voltage: 365V Application: ignition systems |
товару немає в наявності |