
NGTB15N120FL2WG ON Semiconductor
на замовлення 42286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 160.03 грн |
10+ | 157.46 грн |
25+ | 148.35 грн |
60+ | 142.24 грн |
120+ | 127.23 грн |
270+ | 118.24 грн |
510+ | 116.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB15N120FL2WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 294 W.
Інші пропозиції NGTB15N120FL2WG за ціною від 186.89 грн до 569.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W |
на замовлення 17160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NGTB15N120FL2WG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NGTB15N120FL2WG Код товару: 172890
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NGTB15N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |