NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 88.65 грн |
10+ | 85.25 грн |
25+ | 83.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: -/165ns, Switching Energy: 560µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції NGTB15N120IHLWG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NGTB15N120IHLWG Код товару: 108636 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
NGTB15N120IHLWG | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
NGTB15N120IHLWG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/165ns Switching Energy: 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 156 W |
товар відсутній |
||
NGTB15N120IHLWG | Виробник : onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating |
товар відсутній |