Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NGTB15N60S1EG
NGTB15N60S1EG

NGTB15N60S1EG ON Semiconductor

ngtb15n60s1e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+132.89 грн
500+119.95 грн
1000+110.49 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB15N60S1EG ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB, Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 117 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 88 nC, Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V, Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-220AB, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A.

Інші пропозиції NGTB15N60S1EG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1EG onsemi ngtb15n60s1e-d.pdf Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 117 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 88 nC
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1EG onsemi NGTB15N60S1E_D-1813239.pdf IGBTs 15A 600V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60S1EG ngtb15n60s1e-d.pdf
NGTB15N60S1EG
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 117 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 88 nC
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1E_D-1813239.pdf
NGTB15N60S1EG
Виробник: onsemi
IGBTs 15A 600V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.