NGTB15N60S1EG ON Semiconductor
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 344+ | 88.51 грн |
| 500+ | 84.75 грн |
| 1000+ | 80.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB15N60S1EG ON Semiconductor
Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220AB, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns, Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 88 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 117 W.
Інші пропозиції NGTB15N60S1EG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB15N60S1EG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
NGTB15N60S1EG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 88 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 117 W |
товару немає в наявності |
|
 |
NGTB15N60S1EG | Виробник : onsemi |
IGBTs 15A 600V IGBT |
товару немає в наявності |