Продукція > ONSEMI > NGTB20N120IHWG

NGTB20N120IHWG onsemi


ngtb20n120ihw-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247
Power - Max: 341 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 174993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
110+182.72 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB20N120IHWG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247, Power - Max: 341 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 150 nC, Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 480µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: -/170ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NGTB20N120IHWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NGTB20N120IHWG NGTB20N120IHWG ON Semiconductor NGTB20N120IHW-D-587758.pdf IGBT Transistors LC IH RC OSV
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHWG NGTB20N120IHW-D-587758.pdf
Виробник: ON Semiconductor
IGBT Transistors LC IH RC OSV
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.