Продукція > ONSEMI > NGTB25N120FL2WG
NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG onsemi

ngtb25n120fl2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+620.60 грн
30+349.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB25N120FL2WG onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 154 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns, Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 178 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 385 W.

Інші пропозиції NGTB25N120FL2WG за ціною від 260.07 грн до 664.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG Виробник : ONSEMI ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+655.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG Виробник : onsemi NGTB25N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.80 грн
10+383.89 грн
120+281.03 грн
540+260.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb25n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb25n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb25n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG Виробник : ONSEMI NGTB25N120FL2WG.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 178nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 192W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.