| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 331.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
61 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB25N120FL2WG onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 154 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns, Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 178 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 385 W.
Інші пропозиції NGTB25N120FL2WG за ціною від 332.54 грн до 465.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 66518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NGTB25N120FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | onsemi |
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NGTB25N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 465.56 грн |
| 100+ | 441.98 грн |
| 500+ | 419.59 грн |
| 1000+ | 381.87 грн |
| 10000+ | 332.54 грн |
| NGTB25N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NGTB25N120FL2WG |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





