NGTB25N120FL2WG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 580.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB25N120FL2WG ONSEMI
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 154 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns, Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 178 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 385 W.
Інші пропозиції NGTB25N120FL2WG за ціною від 272.94 грн до 644.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB25N120FL2WG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 154 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 178 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | Виробник : onsemi |
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
NGTB25N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NGTB25N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NGTB25N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NGTB25N120FL2WG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 192W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NGTB25N120FL2WG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 192W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal |
товару немає в наявності |