Продукція > ONSEMI > NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG onsemi


ngtb25n120fl2w-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
на замовлення 66548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+325.76 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB25N120FL2WG onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 154 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns, Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 178 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 385 W.

Інші пропозиції NGTB25N120FL2WG за ціною від 330.32 грн до 564.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG ON Semiconductor ngtb25n120fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+462.45 грн
100+439.03 грн
500+416.79 грн
1000+379.32 грн
10000+330.32 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG ONSEMI ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+462.45 грн
100+439.03 грн
500+416.79 грн
1000+379.32 грн
10000+330.32 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.