
NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor
на замовлення 291570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
47+ | 260.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns, Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції NGTB25N120FL3WG за ціною від 216.26 грн до 576.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NGTB25N120FL3WG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 136 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NGTB25N120FL3WG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NGTB25N120FL3WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
NGTB25N120FL3WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
NGTB25N120FL3WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
NGTB25N120FL3WG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 136nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 174W Collector-emitter voltage: 1.2kV Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |