Продукція > ONSEMI > NGTB25N120FL3WG
NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG onsemi

ngtb25n120fl3w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 311173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.03 грн
30+296.92 грн
120+249.31 грн
510+203.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB25N120FL3WG onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns, Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 349 W.

Інші пропозиції NGTB25N120FL3WG за ціною від 215.82 грн до 573.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG Виробник : onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.12 грн
10+328.03 грн
120+249.02 грн
540+215.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG Виробник : ON Semiconductor ngtb25n120fl3w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG Виробник : ON Semiconductor ngtb25n120fl3w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG Виробник : ON Semiconductor ngtb25n120fl3w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WG Виробник : ONSEMI ngtb25n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 136nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 174W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.