Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NGTB30N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG ON Semiconductor

NGTB30N120IHLWG.pdf
Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB30N120IHLWG ON Semiconductor

Description: IGBT 1200V 30A TO247, Power - Max: 260 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 420 nC, Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: -/360ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NGTB30N120IHLWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NGTB30N120IHLWG NGTB30N120IHLWG onsemi NGTB30N120IHLWG.pdf Description: IGBT 1200V 30A TO247
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWG NGTB30N120IHLWG ON Semiconductor NGTB30N120IHL_D-1813276.pdf IGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWG NGTB30N120IHLWG.pdf
NGTB30N120IHLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A TO247
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWG NGTB30N120IHL_D-1813276.pdf
NGTB30N120IHLWG
Виробник: ON Semiconductor
IGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.